JCS650S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS650S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 158 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 28 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 103 nC
Tiempo de elevación (tr): 251 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 362 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.085 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO263
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JCS650S Datasheet (PDF)
0.1. jcs650c jcs650f jcs650s.pdf 
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N N- CHANNEL MOSFETR JCS650 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28.0A VDSS 200 V Rdson@Vgs=10V 0.085 Qg 103nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA
0.2. jcs650s.pdf Size:255K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor JCS650SFEATURESDrain Current I = 28A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =85m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
