JCS650S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JCS650S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 103 nC
trⓘ - Время нарастания: 251 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 362 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: TO263
JCS650S Datasheet (PDF)
jcs650c jcs650f jcs650s.pdf
N N- CHANNEL MOSFETR JCS650 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28.0A VDSS 200 V Rdson@Vgs=10V 0.085 Qg 103nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA
jcs650c jcs650f jcs650s.pdf
N N- CHANNEL MOSFET R JCS650 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28.0A VDSS 200 V Rdson-max 85m @Vgs=10V Qg-typ 103nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge
jcs650s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor JCS650SFEATURESDrain Current I = 28A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =85m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IPS075N03LG
History: IPS075N03LG
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918