Справочник MOSFET. JCS650S

 

JCS650S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS650S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 251 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 362 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JCS650S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS650S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:488K  1
 jcs650c jcs650f jcs650s.pdf pdf_icon

JCS650S

N N- CHANNEL MOSFETR JCS650 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28.0A VDSS 200 V Rdson@Vgs=10V 0.085 Qg 103nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 ..2. Size:947K  jilin sino
 jcs650c jcs650f jcs650s.pdf pdf_icon

JCS650S

N N- CHANNEL MOSFET R JCS650 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28.0A VDSS 200 V Rdson-max 85m @Vgs=10V Qg-typ 103nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 ..3. Size:255K  inchange semiconductor
 jcs650s.pdf pdf_icon

JCS650S

isc N-Channel MOSFET Transistor JCS650SFEATURESDrain Current I = 28A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =85m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... SVF740F , AOB9N70 , AOTF29S50L , AOTF9N70L , AOW66412 , FMV60N190S2HF , JCS650C , JCS650F , STP75NF75 , R6002END3 , R6003KND3 , R6004JND3 , R6004JNJ , R6004JNX , R6006JND3 , R6006JNJ , R6006JNX .

History: 2SK962 | 2SJ537 | IRF7450PBF

 

 
Back to Top

 


 
.