JCS650S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS650S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 251 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 362 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JCS650S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS650S даташит

 ..1. Size:488K  1
 jcs650c jcs650f jcs650s.pdf pdf_icon

JCS650S

N N- CHANNEL MOSFET R JCS650 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28.0A VDSS 200 V Rdson @Vgs=10V 0.085 Qg 103nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 ..2. Size:947K  jilin sino
 jcs650c jcs650f jcs650s.pdf pdf_icon

JCS650S

N N- CHANNEL MOSFET R JCS650 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28.0A VDSS 200 V Rdson-max 85m @Vgs=10V Qg-typ 103nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 ..3. Size:255K  inchange semiconductor
 jcs650s.pdf pdf_icon

JCS650S

isc N-Channel MOSFET Transistor JCS650S FEATURES Drain Current I = 28A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =85m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие IGBT... SVF740F, AOB9N70, AOTF29S50L, AOTF9N70L, AOW66412, FMV60N190S2HF, JCS650C, JCS650F, 7N65, R6002END3, R6003KND3, R6004JND3, R6004JNJ, R6004JNX, R6006JND3, R6006JNJ, R6006JNX