R6002END3 Todos los transistores

 

R6002END3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6002END3

Código: R6002E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 26 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 6.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 16 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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R6002END3 Datasheet (PDF)

0.1. r6002end3.pdf Size:1520K _1

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R6002END3DatasheetNch 600V 2A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS 600VRDS(on)(Max.) 3.4ID 1.7APD 26W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching4) Drive circuits can be simple5) Parallel use is easy6) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specifications

0.2. r6002end3.pdf Size:266K _inchange_semiconductor

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isc N-Channel MOSFET Transistor R6002END3FEATURESDrain Current I =1.7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 6.1. r6002end.pdf Size:2825K _rohm

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R6002ENDDatasheetNch 600V 2A Power MOSFETlOutlinel CPT3VDSS 600VRDS(on)(Max.) 3.4 ID 1.7A PD 20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed tobe 20V.4) Drive circuits can be simpl

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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