R6002END3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R6002END3
Código: R6002E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 26 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 1.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 6.5 nC
Tiempo de elevación (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3.4 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
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R6002END3 Datasheet (PDF)
0.1. r6002end3.pdf 
Size:1520K _1
R6002END3DatasheetNch 600V 2A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS 600VRDS(on)(Max.) 3.4ID 1.7APD 26W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching4) Drive circuits can be simple5) Parallel use is easy6) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specifications
0.2. r6002end3.pdf Size:266K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor R6002END3FEATURESDrain Current I =1.7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
6.1. r6002end.pdf Size:2825K _rohm
R6002ENDDatasheetNch 600V 2A Power MOSFETlOutlinel CPT3VDSS 600VRDS(on)(Max.) 3.4 ID 1.7A PD 20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed tobe 20V.4) Drive circuits can be simpl
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