R6002END3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: R6002END3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для R6002END3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6002END3 даташит

 ..1. Size:1520K  1
 r6002end3.pdf pdf_icon

R6002END3

R6002END3 Datasheet Nch 600V 2A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 3.4 ID 1.7A PD 26W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching 4) Drive circuits can be simple 5) Parallel use is easy 6) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
 r6002end3.pdf pdf_icon

R6002END3

isc N-Channel MOSFET Transistor R6002END3 FEATURES Drain Current I =1.7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.4 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 6.1. Size:2825K  rohm
 r6002end.pdf pdf_icon

R6002END3

R6002END Datasheet Nch 600V 2A Power MOSFET lOutline l CPT3 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 3.4 ID 1.7A PD 20W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simpl

Другие IGBT... AOB9N70, AOTF29S50L, AOTF9N70L, AOW66412, FMV60N190S2HF, JCS650C, JCS650F, JCS650S, IRFP250N, R6003KND3, R6004JND3, R6004JNJ, R6004JNX, R6006JND3, R6006JNJ, R6006JNX, R6006KND3