R6003KND3 Todos los transistores

 

R6003KND3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R6003KND3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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R6003KND3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1405K  1
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R6003KND3

R6003KND3DatasheetNch 600V 3A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS 600VRDS(on)(Max.) 1.5ID 3APD 44W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ulta fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Power Supp

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
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R6003KND3

isc N-Channel MOSFET Transistor R6003KND3FEATURESDrain Current I =3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Otros transistores... AOTF29S50L , AOTF9N70L , AOW66412 , FMV60N190S2HF , JCS650C , JCS650F , JCS650S , R6002END3 , IRF9540 , R6004JND3 , R6004JNJ , R6004JNX , R6006JND3 , R6006JNJ , R6006JNX , R6006KND3 , R6006KNX .

 

 
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