R6003KND3 Todos los transistores

 

R6003KND3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6003KND3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO252

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R6003KND3 datasheet

 ..1. Size:1405K  1
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R6003KND3

R6003KND3 Datasheet Nch 600V 3A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 1.5 ID 3A PD 44W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Ulta fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Power Supp

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
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R6003KND3

isc N-Channel MOSFET Transistor R6003KND3 FEATURES Drain Current I =3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.5 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Otros transistores... AOTF29S50L , AOTF9N70L , AOW66412 , FMV60N190S2HF , JCS650C , JCS650F , JCS650S , R6002END3 , IRF630 , R6004JND3 , R6004JNJ , R6004JNX , R6006JND3 , R6006JNJ , R6006JNX , R6006KND3 , R6006KNX .

 

 

 


 
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