R6003KND3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R6003KND3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
R6003KND3 Datasheet (PDF)
r6003knd3.pdf
R6003KND3DatasheetNch 600V 3A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS 600VRDS(on)(Max.) 1.5ID 3APD 44W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ulta fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Power Supp
r6003knd3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor R6003KND3FEATURESDrain Current I =3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Otros transistores... AOTF29S50L , AOTF9N70L , AOW66412 , FMV60N190S2HF , JCS650C , JCS650F , JCS650S , R6002END3 , 7N65 , R6004JND3 , R6004JNJ , R6004JNX , R6006JND3 , R6006JNJ , R6006JNX , R6006KND3 , R6006KNX .
History: HSH3024 | SFI9610
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MDT08N06D | MDP9N20 | MDP5N65 | MDP2N60 | MDP18N20 | MD9N90 | MD40N25 | MD33N25 | MD23N50 | MD20N65 | MD20N60 | K3878 | IRLR024NTR | AO3401S | AO3400S | P80NF70
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