R6003KND3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R6003KND3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для R6003KND3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6003KND3 даташит

 ..1. Size:1405K  1
 r6003knd3.pdf pdf_icon

R6003KND3

R6003KND3 Datasheet Nch 600V 3A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 1.5 ID 3A PD 44W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Ulta fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Power Supp

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
 r6003knd3.pdf pdf_icon

R6003KND3

isc N-Channel MOSFET Transistor R6003KND3 FEATURES Drain Current I =3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.5 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие IGBT... AOTF29S50L, AOTF9N70L, AOW66412, FMV60N190S2HF, JCS650C, JCS650F, JCS650S, R6002END3, IRF630, R6004JND3, R6004JNJ, R6004JNX, R6006JND3, R6006JNJ, R6006JNX, R6006KND3, R6006KNX