R6003KND3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: R6003KND3
Маркировка: R6003K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 205 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO252
R6003KND3 Datasheet (PDF)
r6003knd3.pdf
R6003KND3DatasheetNch 600V 3A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS 600VRDS(on)(Max.) 1.5ID 3APD 44W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ulta fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Power Supp
r6003knd3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor R6003KND3FEATURESDrain Current I =3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
