Справочник MOSFET. R6003KND3

 

R6003KND3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6003KND3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для R6003KND3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6003KND3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1405K  1
 r6003knd3.pdf pdf_icon

R6003KND3

R6003KND3DatasheetNch 600V 3A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS 600VRDS(on)(Max.) 1.5ID 3APD 44W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ulta fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Power Supp

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
 r6003knd3.pdf pdf_icon

R6003KND3

isc N-Channel MOSFET Transistor R6003KND3FEATURESDrain Current I =3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... AOTF29S50L , AOTF9N70L , AOW66412 , FMV60N190S2HF , JCS650C , JCS650F , JCS650S , R6002END3 , 7N65 , R6004JND3 , R6004JNJ , R6004JNX , R6006JND3 , R6006JNJ , R6006JNX , R6006KND3 , R6006KNX .

History: STB14NM50N | WMO15N25T2

 

 
Back to Top

 


 
.