R6003KND3 - описание и поиск аналогов

 

R6003KND3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: R6003KND3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для R6003KND3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6003KND3 технические параметры

 ..1. Size:1405K  1
 r6003knd3.pdf pdf_icon

R6003KND3

R6003KND3 Datasheet Nch 600V 3A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 1.5 ID 3A PD 44W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Ulta fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Power Supp

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
 r6003knd3.pdf pdf_icon

R6003KND3

isc N-Channel MOSFET Transistor R6003KND3 FEATURES Drain Current I =3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.5 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие MOSFET... AOTF29S50L , AOTF9N70L , AOW66412 , FMV60N190S2HF , JCS650C , JCS650F , JCS650S , R6002END3 , IRF630 , R6004JND3 , R6004JNJ , R6004JNX , R6006JND3 , R6006JNJ , R6006JNX , R6006KND3 , R6006KNX .

 

 
Back to Top

 


 
.