STE36N50A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE36N50A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 410 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Encapsulados: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de STE36N50A MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
STE36N50A datasheet
ste36n50a.pdf
STE36N50A N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE TYPE V R I DSS DS(on) D STE36N50A 500 V
ste24n90 ste36n50-da ste36n50-dk ste38n60 ste38na50 ste45n50 ste50n40 ste90n25.pdf
TRANSISTORS POWER MODULES BIPOLAR IN ISOTOP For other conf. VCEO VCEV IC Ptot VCE (sat) @IC / IB ts* tf* Conf. Type (V) (V) (A) (W) (V) (A) (A) ( s) ( s) D ESM2012DV 125 150 120 175 2 100 1 0.9 0.15 A BUT30V 125 200 100 250 1.5 100 10 1.0 0.1 B BUT230V 125 200 200 300 1.9 200 20 1.0 0.1 A BUT32V 300 400 80 250 1.9 40 4 1.9 0.12 D ESM2030DV 300 400 67 150 2.2 56 1.6 2.0 0.35 B BUT2
Otros transistores... R6006KNX , R6007JND3 , R6007JNJ , R6007JNX , SSF7N60B , SSI7N60B , SSW7N60B , STE40NA60 , 13N50 , STE45NK80ZD , STE38NB50 , STE38NB50F , STE24NA100 , STE15NA100 , AO3409L , FTP23N10A , HY3003P .
History: SM3424NHQA
History: SM3424NHQA
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460