STE36N50A Todos los transistores

 

STE36N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STE36N50A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 410 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
 

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STE36N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  1
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STE36N50A

STE36N50AN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE36N50A 500 V

 6.1. Size:25K  1
 ste24n90 ste36n50-da ste36n50-dk ste38n60 ste38na50 ste45n50 ste50n40 ste90n25.pdf pdf_icon

STE36N50A

TRANSISTORSPOWER MODULESBIPOLAR IN ISOTOPFor other conf.VCEO VCEV IC Ptot VCE (sat) @IC / IB ts* tf*Conf. Type(V) (V) (A) (W) (V) (A) (A) (s) (s)D ESM2012DV 125 150 120 175 2 100 1 0.9 0.15A BUT30V 125 200 100 250 1.5 100 10 1.0 0.1B BUT230V 125 200 200 300 1.9 200 20 1.0 0.1A BUT32V 300 400 80 250 1.9 40 4 1.9 0.12D ESM2030DV 300 400 67 150 2.2 56 1.6 2.0 0.35B BUT2

 6.2. Size:252K  1
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STE36N50A

Otros transistores... R6006KNX , R6007JND3 , R6007JNJ , R6007JNX , SSF7N60B , SSI7N60B , SSW7N60B , STE40NA60 , TK10A60D , STE45NK80ZD , STE38NB50 , STE38NB50F , STE24NA100 , STE15NA100 , AO3409L , FTP23N10A , HY3003P .

History: MTE65N20H8 | SI3477DV-T1-GE3 | IRLZ44S | PSMN3R7-100BSE | SFQ020N100C3 | SUN0460D

 

 
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