Справочник MOSFET. STE36N50A

 

STE36N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STE36N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: ISOTOP
 

 Аналог (замена) для STE36N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STE36N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  1
 ste36n50a.pdf pdf_icon

STE36N50A

STE36N50AN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE36N50A 500 V

 6.1. Size:25K  1
 ste24n90 ste36n50-da ste36n50-dk ste38n60 ste38na50 ste45n50 ste50n40 ste90n25.pdf pdf_icon

STE36N50A

TRANSISTORSPOWER MODULESBIPOLAR IN ISOTOPFor other conf.VCEO VCEV IC Ptot VCE (sat) @IC / IB ts* tf*Conf. Type(V) (V) (A) (W) (V) (A) (A) (s) (s)D ESM2012DV 125 150 120 175 2 100 1 0.9 0.15A BUT30V 125 200 100 250 1.5 100 10 1.0 0.1B BUT230V 125 200 200 300 1.9 200 20 1.0 0.1A BUT32V 300 400 80 250 1.9 40 4 1.9 0.12D ESM2030DV 300 400 67 150 2.2 56 1.6 2.0 0.35B BUT2

 6.2. Size:252K  1
 ste36n50.pdf pdf_icon

STE36N50A

Другие MOSFET... R6006KNX , R6007JND3 , R6007JNJ , R6007JNX , SSF7N60B , SSI7N60B , SSW7N60B , STE40NA60 , TK10A60D , STE45NK80ZD , STE38NB50 , STE38NB50F , STE24NA100 , STE15NA100 , AO3409L , FTP23N10A , HY3003P .

History: 18N10W | SWN6N70DA | SFT016N80C3 | IRFBC30P | GSM4422 | STFU16N65M2

 

 
Back to Top

 


 
.