STE45NK80ZD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE45NK80ZD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 128 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1620 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Encapsulados: ISOTOP
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STE45NK80ZD datasheet
ste45nk80zd.pdf
STE45NK80ZD N-CHANNEL 800V - 0.11 - 45 A ISOTOP Super FREDMesh MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STE45NK80ZD 800 V
ste45nk80zd.pdf
STE45NK80ZD N-channel 800V - 0.11 - 45A ISOTOP SuperFREDmesh MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STE45NK80ZD 800V
ste24n90 ste36n50-da ste36n50-dk ste38n60 ste38na50 ste45n50 ste50n40 ste90n25.pdf
TRANSISTORS POWER MODULES BIPOLAR IN ISOTOP For other conf. VCEO VCEV IC Ptot VCE (sat) @IC / IB ts* tf* Conf. Type (V) (V) (A) (W) (V) (A) (A) ( s) ( s) D ESM2012DV 125 150 120 175 2 100 1 0.9 0.15 A BUT30V 125 200 100 250 1.5 100 10 1.0 0.1 B BUT230V 125 200 200 300 1.9 200 20 1.0 0.1 A BUT32V 300 400 80 250 1.9 40 4 1.9 0.12 D ESM2030DV 300 400 67 150 2.2 56 1.6 2.0 0.35 B BUT2
Otros transistores... R6007JND3 , R6007JNJ , R6007JNX , SSF7N60B , SSI7N60B , SSW7N60B , STE40NA60 , STE36N50A , AON7410 , STE38NB50 , STE38NB50F , STE24NA100 , STE15NA100 , AO3409L , FTP23N10A , HY3003P , HY3003B .
History: IRLR8729PBF-1
History: IRLR8729PBF-1
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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