STE45NK80ZD - описание и поиск аналогов

 

STE45NK80ZD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STE45NK80ZD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 128 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1620 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: ISOTOP

Аналог (замена) для STE45NK80ZD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STE45NK80ZD даташит

 ..1. Size:226K  1
 ste45nk80zd.pdf pdf_icon

STE45NK80ZD

STE45NK80ZD N-CHANNEL 800V - 0.11 - 45 A ISOTOP Super FREDMesh MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STE45NK80ZD 800 V

 ..2. Size:317K  st
 ste45nk80zd.pdf pdf_icon

STE45NK80ZD

STE45NK80ZD N-channel 800V - 0.11 - 45A ISOTOP SuperFREDmesh MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STE45NK80ZD 800V

 8.1. Size:25K  1
 ste24n90 ste36n50-da ste36n50-dk ste38n60 ste38na50 ste45n50 ste50n40 ste90n25.pdf pdf_icon

STE45NK80ZD

TRANSISTORS POWER MODULES BIPOLAR IN ISOTOP For other conf. VCEO VCEV IC Ptot VCE (sat) @IC / IB ts* tf* Conf. Type (V) (V) (A) (W) (V) (A) (A) ( s) ( s) D ESM2012DV 125 150 120 175 2 100 1 0.9 0.15 A BUT30V 125 200 100 250 1.5 100 10 1.0 0.1 B BUT230V 125 200 200 300 1.9 200 20 1.0 0.1 A BUT32V 300 400 80 250 1.9 40 4 1.9 0.12 D ESM2030DV 300 400 67 150 2.2 56 1.6 2.0 0.35 B BUT2

Другие MOSFET... R6007JND3 , R6007JNJ , R6007JNX , SSF7N60B , SSI7N60B , SSW7N60B , STE40NA60 , STE36N50A , AON7410 , STE38NB50 , STE38NB50F , STE24NA100 , STE15NA100 , AO3409L , FTP23N10A , HY3003P , HY3003B .

History: ME2306A-G | SM4305PSKC | VS3640DB | AO8803 | AGM615MN | 2N90L-TA3-T | STD3NK60ZD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.