STE38NB50 Todos los transistores

 

STE38NB50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STE38NB50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: ISOTOP

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STE38NB50 datasheet

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STE38NB50

STE38NB50 N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOP PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STE38NB50 500 V

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STE38NB50

STE38NB50 N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOP PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STE38NB50 500 V

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STE38NB50

STE38NB50F N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STE38NB50F 500 V

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STE38NB50

STE38NB50F N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STE38NB50F 500 V

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History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP

 

 

 

 

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