STE38NB50 Todos los transistores

 

STE38NB50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STE38NB50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
 

 Búsqueda de reemplazo de STE38NB50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STE38NB50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  1
 ste38nb50.pdf pdf_icon

STE38NB50

STE38NB50N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTE38NB50 500 V

 ..2. Size:280K  st
 ste38nb50.pdf pdf_icon

STE38NB50

STE38NB50N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTE38NB50 500 V

 0.1. Size:95K  1
 ste38nb50f.pdf pdf_icon

STE38NB50

STE38NB50F N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE38NB50F 500 V

 0.2. Size:271K  st
 ste38nb50f.pdf pdf_icon

STE38NB50

STE38NB50FN - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE38NB50F 500 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... R6007JNJ , R6007JNX , SSF7N60B , SSI7N60B , SSW7N60B , STE40NA60 , STE36N50A , STE45NK80ZD , 4N60 , STE38NB50F , STE24NA100 , STE15NA100 , AO3409L , FTP23N10A , HY3003P , HY3003B , IPD70R900P7S .

History: WMM25N70EM | NCEP1216AS | OSG90R1K2IF | IPP040N06N | IRF8010SPBF | NCEP11N10AS | NCE70N1K1D

 

 
Back to Top

 


 
.