STE38NB50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STE38NB50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
Аналог (замена) для STE38NB50
STE38NB50 Datasheet (PDF)
ste38nb50.pdf

STE38NB50N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTE38NB50 500 V
ste38nb50.pdf

STE38NB50N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTE38NB50 500 V
ste38nb50f.pdf

STE38NB50F N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE38NB50F 500 V
ste38nb50f.pdf

STE38NB50FN - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE38NB50F 500 V
Другие MOSFET... R6007JNJ , R6007JNX , SSF7N60B , SSI7N60B , SSW7N60B , STE40NA60 , STE36N50A , STE45NK80ZD , 4N60 , STE38NB50F , STE24NA100 , STE15NA100 , AO3409L , FTP23N10A , HY3003P , HY3003B , IPD70R900P7S .
History: ZXMN2A01E6TC | WMM240P10HG4 | OSG90R1K2IF | STP11NM60A | WMO10N70C4 | BLS65R380-A | CTD06N030
History: ZXMN2A01E6TC | WMM240P10HG4 | OSG90R1K2IF | STP11NM60A | WMO10N70C4 | BLS65R380-A | CTD06N030



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet