Справочник MOSFET. STE38NB50

 

STE38NB50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STE38NB50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: ISOTOP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STE38NB50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  1
 ste38nb50.pdf pdf_icon

STE38NB50

STE38NB50N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTE38NB50 500 V

 ..2. Size:280K  st
 ste38nb50.pdf pdf_icon

STE38NB50

STE38NB50N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTE38NB50 500 V

 0.1. Size:95K  1
 ste38nb50f.pdf pdf_icon

STE38NB50

STE38NB50F N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE38NB50F 500 V

 0.2. Size:271K  st
 ste38nb50f.pdf pdf_icon

STE38NB50

STE38NB50FN - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE38NB50F 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: RFP10N12 | HAT3021R | IAUC100N10S5N040 | STU601S | RU1Z120R | SQ3457EV | 12N60G-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.