MDE1991RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDE1991RH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 223 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 159 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 115 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1360 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDE1991RH
MDE1991RH Datasheet (PDF)
mde1991rh.pdf
MDE1991 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 120A, 4.4m Features General Description The MDE1991 uses advanced MagnaChips MV MOSFET V = 100V DS I = 120A @V = 10V Technology, which provides high performance in on-state resistance, D GS R DS(ON)fast switching performance, and excellent quality.
mde1932.pdf
MDE1932 Single N-channel Trench MOSFET 80V, 120A, 3.4m Features General Description The MDE1991 uses advanced MagnaChips MV MOSFET V = 80V DS I = 120A @V = 10V Technology, which provides high performance in on-state resistance, D GS R DS(ON)fast switching performance, and excellent quality.
mde1932.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor MDE1932FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM
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Liste
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