R6010MNX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R6010MNX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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R6010MNX Datasheet (PDF)
r6010mnx.pdf
R6010MNXDatasheetNch 600V 10A Power MOSFETlOutlinelVDSS600VRDS(on)(Max.) 0.380 TO-220FMID 10APD56W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed tobe 30V.5) Drive circuits can be simple.6) Pb-free p
r6010mnx.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor R6010MNXFEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 380m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
r6010anx.pdf
Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R6010ANX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Fast switching speed.0.83) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.(1) Gate2.54 2.54 0.75 2.64) Drive circuits can be simple. (2) Drain(1) (2) (3) (3) Source5) Parallel use is ea
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Liste
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