RJ1G08CGN Todos los transistores

 

RJ1G08CGN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RJ1G08CGN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

RJ1G08CGN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2542K  rohm
 rj1g08cgn.pdf pdf_icon

RJ1G08CGN

RJ1G08CGNDatasheetNch 40V 80A Power MOSFETlOutlinel TO-263ABVDSS 40VRDS(on)(Max.)5.6m LPT(L)ID80APD 78W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance2) High power small mold package(LPTL)3) Pb-free plating ; RoHS compliant4) 100% UIS testedlApplicationllPackaging specifications

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rj1g08cgn.pdf pdf_icon

RJ1G08CGN

isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G08CGNFEATURESDrain Current I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HGN035N08AL | CP650 | SWF2N70D | WM02N08L | SFF440C

 

 
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