RJ1G08CGN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJ1G08CGN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm

Encapsulados: TO-263

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RJ1G08CGN datasheet

 ..1. Size:2542K  rohm
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RJ1G08CGN

RJ1G08CGN Datasheet Nch 40V 80A Power MOSFET lOutline l TO-263AB VDSS 40V RDS(on)(Max.) 5.6m LPT(L) ID 80A PD 78W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (LPTL) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100% UIS tested lApplication l lPackaging specifications

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RJ1G08CGN

isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G08CGN FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... R6530KNZ1, R6535ENZ, R6535ENZ1, R6535KNZ, R6535KNZ1, R8002ANJ, R8005ANJ, R8008ANJ, 2SK3568, RJ1G12BGN, R6020KNZ4, DJR0417, R6035KNZ, R6035KNZ1, R6047MNZ1, R6547ENZ1, R6547KNZ1