RJ1G08CGN Todos los transistores

 

RJ1G08CGN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RJ1G08CGN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

 Búsqueda de reemplazo de RJ1G08CGN MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RJ1G08CGN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2542K  rohm
 rj1g08cgn.pdf pdf_icon

RJ1G08CGN

RJ1G08CGNDatasheetNch 40V 80A Power MOSFETlOutlinel TO-263ABVDSS 40VRDS(on)(Max.)5.6m LPT(L)ID80APD 78W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance2) High power small mold package(LPTL)3) Pb-free plating ; RoHS compliant4) 100% UIS testedlApplicationllPackaging specifications

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rj1g08cgn.pdf pdf_icon

RJ1G08CGN

isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G08CGNFEATURESDrain Current I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Otros transistores... R6530KNZ1 , R6535ENZ , R6535ENZ1 , R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , 5N65 , RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 .

History: SWUI6N70DA | RU40L60M

 

 
Back to Top

 


 
.