RJ1G08CGN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RJ1G08CGN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de RJ1G08CGN MOSFET
Principales características: RJ1G08CGN
rj1g08cgn.pdf
RJ1G08CGN Datasheet Nch 40V 80A Power MOSFET lOutline l TO-263AB VDSS 40V RDS(on)(Max.) 5.6m LPT(L) ID 80A PD 78W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (LPTL) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100% UIS tested lApplication l lPackaging specifications
rj1g08cgn.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G08CGN FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo
Otros transistores... R6530KNZ1 , R6535ENZ , R6535ENZ1 , R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , 2SK3568 , RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP3N50K | AP3N50F | AP3912GD | AP3415E | AP3404S | AP3404 | AP3205 | AP3139 | AP3134N5 | AP3101A | AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K
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