Справочник MOSFET. RJ1G08CGN

 

RJ1G08CGN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RJ1G08CGN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 78 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 31.1 nC

Время нарастания (tr): 9 ns

Выходная емкость (Cd): 370 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0056 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для RJ1G08CGN

 

 

RJ1G08CGN Datasheet (PDF)

0.1. rj1g08cgn.pdf Size:2542K _rohm

RJ1G08CGN
RJ1G08CGN

RJ1G08CGNDatasheetNch 40V 80A Power MOSFETlOutlinel TO-263ABVDSS 40VRDS(on)(Max.)5.6m LPT(L)ID80APD 78W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance2) High power small mold package(LPTL)3) Pb-free plating ; RoHS compliant4) 100% UIS testedlApplicationllPackaging specifications

0.2. rj1g08cgn.pdf Size:254K _inchange_semiconductor

RJ1G08CGN
RJ1G08CGN

isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G08CGNFEATURESDrain Current I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top