RJ1G08CGN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RJ1G08CGN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для RJ1G08CGN
RJ1G08CGN Datasheet (PDF)
rj1g08cgn.pdf

RJ1G08CGNDatasheetNch 40V 80A Power MOSFETlOutlinel TO-263ABVDSS 40VRDS(on)(Max.)5.6m LPT(L)ID80APD 78W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance2) High power small mold package(LPTL)3) Pb-free plating ; RoHS compliant4) 100% UIS testedlApplicationllPackaging specifications
rj1g08cgn.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G08CGNFEATURESDrain Current I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
Другие MOSFET... R6530KNZ1 , R6535ENZ , R6535ENZ1 , R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , 5N65 , RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 .
History: FRS140D | JFDX5N50D | 3SK88K | BFC63 | 2SJ603-Z | 2N5905
History: FRS140D | JFDX5N50D | 3SK88K | BFC63 | 2SJ603-Z | 2N5905



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTC80N06A | JMTC6888A | JMTC60N04B | JMTC58N06B | JMTC4004A | JMTC320N10A | JMTC3005A | JMTC3003A | JMTC3002B | JMTC170N10A | JMTC110N06A | JMTC085P04A | JMTC068N07A | JMTC060N06A | JMTC035N06D | JMTC035N04A
Popular searches
2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a