RJ1G08CGN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJ1G08CGN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RJ1G08CGN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJ1G08CGN даташит

 ..1. Size:2542K  rohm
 rj1g08cgn.pdf pdf_icon

RJ1G08CGN

RJ1G08CGN Datasheet Nch 40V 80A Power MOSFET lOutline l TO-263AB VDSS 40V RDS(on)(Max.) 5.6m LPT(L) ID 80A PD 78W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (LPTL) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100% UIS tested lApplication l lPackaging specifications

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rj1g08cgn.pdf pdf_icon

RJ1G08CGN

isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G08CGN FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие IGBT... R6530KNZ1, R6535ENZ, R6535ENZ1, R6535KNZ, R6535KNZ1, R8002ANJ, R8005ANJ, R8008ANJ, IRF1407, RJ1G12BGN, R6020KNZ4, DJR0417, R6035KNZ, R6035KNZ1, R6047MNZ1, R6547ENZ1, R6547KNZ1