RJ1G12BGN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RJ1G12BGN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00186 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de RJ1G12BGN MOSFET
Principales características: RJ1G12BGN
rj1g12bgn.pdf
RJ1G12BGN Datasheet Nch 40V 120A Power MOSFET lOutline l TO-263AB VDSS 40V RDS(on)(Max.) 1.86m LPT(L) ID 120A PD 178W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (LPTL) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free 5) 100% UIS tested lApplication l
rj1g12bgn.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G12BGN FEATURES Drain Current I = 120A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.86m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur
Otros transistores... R6535ENZ , R6535ENZ1 , R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , RJ1G08CGN , 10N65 , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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