RJ1G12BGN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJ1G12BGN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00186 Ohm

Encapsulados: TO-263

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RJ1G12BGN datasheet

 ..1. Size:1514K  rohm
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RJ1G12BGN

RJ1G12BGN Datasheet Nch 40V 120A Power MOSFET lOutline l TO-263AB VDSS 40V RDS(on)(Max.) 1.86m LPT(L) ID 120A PD 178W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (LPTL) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free 5) 100% UIS tested lApplication l

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RJ1G12BGN

isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G12BGN FEATURES Drain Current I = 120A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.86m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

Otros transistores... R6535ENZ, R6535ENZ1, R6535KNZ, R6535KNZ1, R8002ANJ, R8005ANJ, R8008ANJ, RJ1G08CGN, IRF2807, R6020KNZ4, DJR0417, R6035KNZ, R6035KNZ1, R6047MNZ1, R6547ENZ1, R6547KNZ1, R6576ENZ1