RJ1G12BGN Todos los transistores

 

RJ1G12BGN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJ1G12BGN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 178 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 40 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 165 nC

Tiempo de elevación (tr): 33 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1900 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.00186 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

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RJ1G12BGN Datasheet (PDF)

0.1. rj1g12bgn.pdf Size:1514K _rohm

RJ1G12BGN
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RJ1G12BGNDatasheetNch 40V 120A Power MOSFETlOutlinel TO-263ABVDSS 40VRDS(on)(Max.)1.86m LPT(L)ID120APD 178W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance2) High power small mold package(LPTL)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen free5) 100% UIS testedlApplicationl

0.2. rj1g12bgn.pdf Size:254K _inchange_semiconductor

RJ1G12BGN
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isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G12BGNFEATURESDrain Current I = 120A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.86m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

 

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