RJ1G12BGN - описание и поиск аналогов

 

RJ1G12BGN - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RJ1G12BGN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00186 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для RJ1G12BGN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJ1G12BGN технические параметры

 ..1. Size:1514K  rohm
 rj1g12bgn.pdf pdf_icon

RJ1G12BGN

RJ1G12BGN Datasheet Nch 40V 120A Power MOSFET lOutline l TO-263AB VDSS 40V RDS(on)(Max.) 1.86m LPT(L) ID 120A PD 178W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (LPTL) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free 5) 100% UIS tested lApplication l

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rj1g12bgn.pdf pdf_icon

RJ1G12BGN

isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G12BGN FEATURES Drain Current I = 120A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.86m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

Другие MOSFET... R6535ENZ , R6535ENZ1 , R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , RJ1G08CGN , 10N65 , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 .

History: PR804BA33

 

 
Back to Top

 


 
.