Справочник MOSFET. RJ1G12BGN

 

RJ1G12BGN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RJ1G12BGN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 165 nC

Время нарастания (tr): 33 ns

Выходная емкость (Cd): 1900 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00186 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для RJ1G12BGN

 

 

RJ1G12BGN Datasheet (PDF)

0.1. rj1g12bgn.pdf Size:1514K _rohm

RJ1G12BGN
RJ1G12BGN

RJ1G12BGNDatasheetNch 40V 120A Power MOSFETlOutlinel TO-263ABVDSS 40VRDS(on)(Max.)1.86m LPT(L)ID120APD 178W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance2) High power small mold package(LPTL)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen free5) 100% UIS testedlApplicationl

0.2. rj1g12bgn.pdf Size:254K _inchange_semiconductor

RJ1G12BGN
RJ1G12BGN

isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G12BGNFEATURESDrain Current I = 120A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.86m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top