Справочник MOSFET. RJ1G12BGN

 

RJ1G12BGN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJ1G12BGN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00186 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для RJ1G12BGN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJ1G12BGN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1514K  rohm
 rj1g12bgn.pdf pdf_icon

RJ1G12BGN

RJ1G12BGNDatasheetNch 40V 120A Power MOSFETlOutlinel TO-263ABVDSS 40VRDS(on)(Max.)1.86m LPT(L)ID120APD 178W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance2) High power small mold package(LPTL)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen free5) 100% UIS testedlApplicationl

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rj1g12bgn.pdf pdf_icon

RJ1G12BGN

isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G12BGNFEATURESDrain Current I = 120A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.86m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

Другие MOSFET... R6535ENZ , R6535ENZ1 , R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , RJ1G08CGN , STP80NF70 , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 .

History: IRFL1006PBF | STL11N3LLH6 | NT2955G | WMK028N10HGS | SIR876ADP | SI4435DY | HB3710P

 

 
Back to Top

 


 
.