Справочник MOSFET. RJ1G12BGN

 

RJ1G12BGN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RJ1G12BGN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 165 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00186 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для RJ1G12BGN

 

 

RJ1G12BGN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1514K  rohm
 rj1g12bgn.pdf

RJ1G12BGN RJ1G12BGN

RJ1G12BGNDatasheetNch 40V 120A Power MOSFETlOutlinel TO-263ABVDSS 40VRDS(on)(Max.)1.86m LPT(L)ID120APD 178W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance2) High power small mold package(LPTL)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen free5) 100% UIS testedlApplicationl

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rj1g12bgn.pdf

RJ1G12BGN RJ1G12BGN

isc N-Channel MOSFET Transistor RJ1G12BGNFEATURESDrain Current I = 120A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.86m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top