DJR0417 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DJR0417
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 48 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 75 nC
Tiempo de subida (tr): 450 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DJR0417
DJR0417 Datasheet (PDF)
djr0417.pdf
40 V, 17 A P-channel Trench Power MOSFET with Reverse Battery Protection DJR0417 Data Sheet Description DJR0417 is P-channel trench power MOSFET Package designed for the load switch of automotive electronic units requiring the reverse battery protection. Since TO252 DJR0417 has a bidirectional diode between Drain and Source, the reverse battery protection can be realized (4)
djr0417.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor DJR0417FEATURESDrain Current I =-17A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =-40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =75m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
