DJR0417 Todos los transistores

 

DJR0417 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DJR0417
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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DJR0417 Datasheet (PDF)

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DJR0417

40 V, 17 A P-channel Trench Power MOSFET with Reverse Battery Protection DJR0417 Data Sheet Description DJR0417 is P-channel trench power MOSFET Package designed for the load switch of automotive electronic units requiring the reverse battery protection. Since TO252 DJR0417 has a bidirectional diode between Drain and Source, the reverse battery protection can be realized (4)

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
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DJR0417

isc P-Channel MOSFET Transistor DJR0417FEATURESDrain Current I =-17A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =-40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =75m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Otros transistores... R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , RJ1G08CGN , RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , SKD502T , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN .

History: WMN15N80M3 | NCEP095N10AG | SISS23DN | RHP030N03 | VTI640F | IRFZ44ELPBF | NP60N055KUG

 

 
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