DJR0417 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DJR0417
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
trⓘ - Время нарастания: 450 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: TO-252
DJR0417 Datasheet (PDF)
djr0417.pdf

40 V, 17 A P-channel Trench Power MOSFET with Reverse Battery Protection DJR0417 Data Sheet Description DJR0417 is P-channel trench power MOSFET Package designed for the load switch of automotive electronic units requiring the reverse battery protection. Since TO252 DJR0417 has a bidirectional diode between Drain and Source, the reverse battery protection can be realized (4)
djr0417.pdf

isc P-Channel MOSFET Transistor DJR0417FEATURESDrain Current I =-17A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =-40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =75m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: TSM1N45CW | 2SK3121



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772