DJR0417 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DJR0417
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для DJR0417
DJR0417 Datasheet (PDF)
djr0417.pdf

40 V, 17 A P-channel Trench Power MOSFET with Reverse Battery Protection DJR0417 Data Sheet Description DJR0417 is P-channel trench power MOSFET Package designed for the load switch of automotive electronic units requiring the reverse battery protection. Since TO252 DJR0417 has a bidirectional diode between Drain and Source, the reverse battery protection can be realized (4)
djr0417.pdf

isc P-Channel MOSFET Transistor DJR0417FEATURESDrain Current I =-17A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =-40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =75m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Другие MOSFET... R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , RJ1G08CGN , RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , SKD502T , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN .
History: LNH05R155 | NTD20N06-001
History: LNH05R155 | NTD20N06-001



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772