Справочник MOSFET. DJR0417

 

DJR0417 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DJR0417
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для DJR0417

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DJR0417 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:517K  1
 djr0417.pdf pdf_icon

DJR0417

40 V, 17 A P-channel Trench Power MOSFET with Reverse Battery Protection DJR0417 Data Sheet Description DJR0417 is P-channel trench power MOSFET Package designed for the load switch of automotive electronic units requiring the reverse battery protection. Since TO252 DJR0417 has a bidirectional diode between Drain and Source, the reverse battery protection can be realized (4)

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
 djr0417.pdf pdf_icon

DJR0417

isc P-Channel MOSFET Transistor DJR0417FEATURESDrain Current I =-17A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =-40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =75m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , RJ1G08CGN , RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , SKD502T , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN .

History: IPI111N15N3 | NTZD3155CT2G

 

 
Back to Top

 


 
.