RD3G400GN Todos los transistores

 

RD3G400GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RD3G400GN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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RD3G400GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1493K  rohm
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RD3G400GN

RD3G400GNDatasheetNch 40V 40A Power MOSFETlOutlinelVDSS40V DPAKRDS(on)(Max.)7.5m TO-252ID40APD26W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) High power package (TO-252)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen freelPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size (m

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
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RD3G400GN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G400GNFEATURESDrain Current I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Otros transistores... DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , 8N60 , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN .

History: IXTP20N65XM | AP60WN1K5H | SI8465DB | SFB053N100C3 | AP9565GEM | AP9566GH | AP9566GM

 

 
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