RD3G400GN - аналоги и даташиты транзистора

 

RD3G400GN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RD3G400GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RD3G400GN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3G400GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1493K  rohm
 rd3g400gn.pdf pdf_icon

RD3G400GN

RD3G400GNDatasheetNch 40V 40A Power MOSFETlOutlinelVDSS40V DPAKRDS(on)(Max.)7.5m TO-252ID40APD26W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) High power package (TO-252)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen freelPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size (m

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3g400gn.pdf pdf_icon

RD3G400GN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G400GNFEATURESDrain Current I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , AON6380 , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN .

History: NTD20P06LT4G | MDHT3N40URH | 7N80G-TA3-T | AM90P10-60B | AP6P090J | STF23NM60ND | HGS098N10A

 

 
Back to Top

 


 
.