RD3G400GN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RD3G400GN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для RD3G400GN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RD3G400GN даташит
rd3g400gn.pdf
RD3G400GN Datasheet Nch 40V 40A Power MOSFET lOutline l VDSS 40V DPAK RDS(on)(Max.) 7.5m TO-252 ID 40A PD 26W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free lPackaging specifications l Embossed Packing Tape Reel size (m
rd3g400gn.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G400GN FEATURES Drain Current I = 40A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 7.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
Другие IGBT... DJR0417, R6035KNZ, R6035KNZ1, R6047MNZ1, R6547ENZ1, R6547KNZ1, R6576ENZ1, R6576KNZ1, IRFZ24N, RD3G500GN, RD3G600GN, RD3H045SP, RD3H080SP, RD3H160SP, RD3H200SN, RD3L050SN, RD3L080SN
History: NCEP014NH60GU
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539

