RD3G400GN - описание и поиск аналогов

 

RD3G400GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD3G400GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RD3G400GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3G400GN даташит

 ..1. Size:1493K  rohm
 rd3g400gn.pdf pdf_icon

RD3G400GN

RD3G400GN Datasheet Nch 40V 40A Power MOSFET lOutline l VDSS 40V DPAK RDS(on)(Max.) 7.5m TO-252 ID 40A PD 26W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free lPackaging specifications l Embossed Packing Tape Reel size (m

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3g400gn.pdf pdf_icon

RD3G400GN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G400GN FEATURES Drain Current I = 40A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 7.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие IGBT... DJR0417, R6035KNZ, R6035KNZ1, R6047MNZ1, R6547ENZ1, R6547KNZ1, R6576ENZ1, R6576KNZ1, IRFZ24N, RD3G500GN, RD3G600GN, RD3H045SP, RD3H080SP, RD3H160SP, RD3H200SN, RD3L050SN, RD3L080SN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.