Справочник MOSFET. RD3G400GN

 

RD3G400GN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RD3G400GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для RD3G400GN

 

 

RD3G400GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1493K  rohm
 rd3g400gn.pdf

RD3G400GN RD3G400GN

RD3G400GNDatasheetNch 40V 40A Power MOSFETlOutlinelVDSS40V DPAKRDS(on)(Max.)7.5m TO-252ID40APD26W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) High power package (TO-252)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen freelPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size (m

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3g400gn.pdf

RD3G400GN RD3G400GN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G400GNFEATURESDrain Current I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top