RD3G500GN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RD3G500GN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
Encapsulados: TO-252
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RD3G500GN datasheet
rd3g500gn.pdf
RD3G500GN Datasheet Nch 40V 50A Power MOSFET lOutline l VDSS 40V DPAK RDS(on)(Max.) 4.9m TO-252 ID 50A PD 35W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free lPackaging specifications l Embossed Packing Tape Reel size (m
rd3g500gn.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G500GN FEATURES Drain Current I = 50A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.9m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
Otros transistores... R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , 2N60 , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN .
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