RD3G500GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RD3G500GN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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RD3G500GN Datasheet (PDF)

..1. Size:1528K rohm
rd3g500gn.pdf

RD3G500GNDatasheetNch 40V 50A Power MOSFETlOutlinelVDSS40V DPAKRDS(on)(Max.)4.9m TO-252ID50APD35W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) High power package (TO-252)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen freelPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size (m

..2. Size:265K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G500GNFEATURESDrain Current I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.9m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SFH9240

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: