RD3G500GN - описание и поиск аналогов

 

RD3G500GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD3G500GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RD3G500GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3G500GN даташит

 ..1. Size:1528K  rohm
 rd3g500gn.pdf pdf_icon

RD3G500GN

RD3G500GN Datasheet Nch 40V 50A Power MOSFET lOutline l VDSS 40V DPAK RDS(on)(Max.) 4.9m TO-252 ID 50A PD 35W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free lPackaging specifications l Embossed Packing Tape Reel size (m

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3g500gn.pdf pdf_icon

RD3G500GN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G500GN FEATURES Drain Current I = 50A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.9m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , 2N60 , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.