Справочник MOSFET. RD3G500GN

 

RD3G500GN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RD3G500GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RD3G500GN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3G500GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1528K  rohm
 rd3g500gn.pdf pdf_icon

RD3G500GN

RD3G500GNDatasheetNch 40V 50A Power MOSFETlOutlinelVDSS40V DPAKRDS(on)(Max.)4.9m TO-252ID50APD35W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) High power package (TO-252)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen freelPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size (m

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3g500gn.pdf pdf_icon

RD3G500GN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G500GNFEATURESDrain Current I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.9m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , IRF830 , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN .

History: NCE20ND15Q | WMO60N02T1 | WMJ12N120D1

 

 
Back to Top

 


 
.