RD3G600GN Todos los transistores

 

RD3G600GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RD3G600GN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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RD3G600GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2698K  rohm
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RD3G600GN

RD3G600GNDatasheetNch 40V 60A Power MOSFETlOutlinelVDSS40V DPAKRDS(on)(Max.)3.6m TO-252ID60APD40W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) High power package (TO-252)3) Pb-free plating ; RoHS compliant4) Halogen freelPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size (mm) 33

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
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RD3G600GN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G600GNFEATURESDrain Current I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Otros transistores... R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , IRFB31N20D , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP .

History: HMS21N65F | CS4N60P | AP60SL600DI | 2SK1888

 

 
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