Справочник MOSFET. RD3G600GN

 

RD3G600GN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RD3G600GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для RD3G600GN

 

 

RD3G600GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2698K  rohm
 rd3g600gn.pdf

RD3G600GN RD3G600GN

RD3G600GNDatasheetNch 40V 60A Power MOSFETlOutlinelVDSS40V DPAKRDS(on)(Max.)3.6m TO-252ID60APD40W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) High power package (TO-252)3) Pb-free plating ; RoHS compliant4) Halogen freelPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size (mm) 33

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3g600gn.pdf

RD3G600GN RD3G600GN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G600GNFEATURESDrain Current I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top