RD3G600GN - описание и поиск аналогов

 

RD3G600GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD3G600GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RD3G600GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3G600GN даташит

 ..1. Size:2698K  rohm
 rd3g600gn.pdf pdf_icon

RD3G600GN

RD3G600GN Datasheet Nch 40V 60A Power MOSFET lOutline l VDSS 40V DPAK RDS(on)(Max.) 3.6m TO-252 ID 60A PD 40W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free lPackaging specifications l Embossed Packing Tape Reel size (mm) 33

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3g600gn.pdf pdf_icon

RD3G600GN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G600GN FEATURES Drain Current I = 60A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , 8N60 , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP .

History: AON2707

 

 

 

 

↑ Back to Top
.