RD3G600GN - аналоги и даташиты транзистора

 

RD3G600GN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RD3G600GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RD3G600GN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3G600GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2698K  rohm
 rd3g600gn.pdf pdf_icon

RD3G600GN

RD3G600GNDatasheetNch 40V 60A Power MOSFETlOutlinelVDSS40V DPAKRDS(on)(Max.)3.6m TO-252ID60APD40W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) High power package (TO-252)3) Pb-free plating ; RoHS compliant4) Halogen freelPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size (mm) 33

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3g600gn.pdf pdf_icon

RD3G600GN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G600GNFEATURESDrain Current I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , K2611 , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP .

History: HSS2319 | AP30P10GI | HGS120N10AL | UT7317 | AM3443P | DN2625

 

 
Back to Top

 


 
.