RD3G600GN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RD3G600GN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 46.5 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 550 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0036 Ohm
Тип корпуса: TO-252
RD3G600GN Datasheet (PDF)
rd3g600gn.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RD3G600GNDatasheetNch 40V 60A Power MOSFETlOutlinelVDSS40V DPAKRDS(on)(Max.)3.6m TO-252ID60APD40W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) High power package (TO-252)3) Pb-free plating ; RoHS compliant4) Halogen freelPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size (mm) 33
rd3g600gn.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor RD3G600GNFEATURESDrain Current I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![RD3G600GN](https://alltransistors.com/images/us.png)
![RD3G600GN](https://alltransistors.com/images/es.png)
![RD3G600GN](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C