RD3H160SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RD3H160SP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 20 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 45 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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RD3H160SP Datasheet (PDF)
rd3h160sp.pdf
RD3H160SP DatasheetPch -45V -16A Power MOSFETlOutlinelVDSS-45V DPAKRDS(on)(Max.)50m TO-252ID16APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbo
rd3h160sp.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor RD3H160SPFEATURESDrain Current I = -16A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -45V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 50m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AMD534CE
