Справочник MOSFET. RD3H160SP

 

RD3H160SP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RD3H160SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RD3H160SP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3H160SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1542K  rohm
 rd3h160sp.pdf pdf_icon

RD3H160SP

RD3H160SP DatasheetPch -45V -16A Power MOSFETlOutlinelVDSS-45V DPAKRDS(on)(Max.)50m TO-252ID16APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbo

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3h160sp.pdf pdf_icon

RD3H160SP

isc P-Channel MOSFET Transistor RD3H160SPFEATURESDrain Current I = -16A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -45V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 50m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

Другие MOSFET... R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RU6888R , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN .

History: IRL8113 | NCE3008N | IRFB7437PBF | WMQ37N03T1 | TMC8N65H | KIA2N60H-252 | HRS88N08K

 

 
Back to Top

 


 
.