RD3H160SP - описание и поиск аналогов

 

RD3H160SP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD3H160SP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RD3H160SP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3H160SP даташит

 ..1. Size:1542K  rohm
 rd3h160sp.pdf pdf_icon

RD3H160SP

RD3H160SP Datasheet Pch -45V -16A Power MOSFET lOutline l VDSS -45V DPAK RDS(on)(Max.) 50m TO-252 ID 16A PD 20W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embo

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3h160sp.pdf pdf_icon

RD3H160SP

isc P-Channel MOSFET Transistor RD3H160SP FEATURES Drain Current I = -16A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = -45V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 50m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

Другие MOSFET... R6547KNZ1 , R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , AO3400A , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.