RD3P050SN Todos los transistores

 

RD3P050SN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RD3P050SN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

RD3P050SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1597K  rohm
 rd3p050sn.pdf pdf_icon

RD3P050SN

RD3P050SNDatasheetNch 100V 5A Power MOSFETlOutlinelVDSS100V DPAKRDS(on)(Max.)190m TO-252ID5.0APD15W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmb

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
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RD3P050SN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3P050SNFEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 190m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SJ203 | 2SK1336 | CSD17310Q5A | WSD4066DN | AOLF66610 | VS3618AE | NTMFS3D6N10MCLT1G

 

 
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