Справочник MOSFET. RD3P050SN

 

RD3P050SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RD3P050SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RD3P050SN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3P050SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1597K  rohm
 rd3p050sn.pdf pdf_icon

RD3P050SN

RD3P050SNDatasheetNch 100V 5A Power MOSFETlOutlinelVDSS100V DPAKRDS(on)(Max.)190m TO-252ID5.0APD15W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmb

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3p050sn.pdf pdf_icon

RD3P050SN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3P050SNFEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 190m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN , 60N06 , RD3P100SN , RD3P130SP , RD3P175SN , RD3P200SN , RD3S075CN , RD3S100CN , RD3T050CN , RD3T075CN .

History: SSP7N60B | WMS09P02TS

 

 
Back to Top

 


 
.