Справочник MOSFET. RD3P050SN

 

RD3P050SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RD3P050SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3P050SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1597K  rohm
 rd3p050sn.pdf pdf_icon

RD3P050SN

RD3P050SNDatasheetNch 100V 5A Power MOSFETlOutlinelVDSS100V DPAKRDS(on)(Max.)190m TO-252ID5.0APD15W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmb

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3p050sn.pdf pdf_icon

RD3P050SN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3P050SNFEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 190m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BL9N50-A | AP2306CGN-HF | RUH1H139R | AM2362N | PZ567JZ | IXTM7N50A | ZXM64P02XTC

 

 
Back to Top

 


 
.