RD3P050SN - описание и поиск аналогов

 

RD3P050SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD3P050SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RD3P050SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3P050SN даташит

 ..1. Size:1597K  rohm
 rd3p050sn.pdf pdf_icon

RD3P050SN

RD3P050SN Datasheet Nch 100V 5A Power MOSFET lOutline l VDSS 100V DPAK RDS(on)(Max.) 190m TO-252 ID 5.0A PD 15W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Emb

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3p050sn.pdf pdf_icon

RD3P050SN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3P050SN FEATURES Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 190m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... RD3H160SP , RD3H200SN , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN , IRLB3034 , RD3P100SN , RD3P130SP , RD3P175SN , RD3P200SN , RD3S075CN , RD3S100CN , RD3T050CN , RD3T075CN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.