RD3S100CN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RD3S100CN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 85 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 190 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 52 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.182 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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RD3S100CN Datasheet (PDF)
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RD3S100CNDatasheetNch 190V 10A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS190VRDS(on)(Max.) 182mID 10APD85W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specif
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isc N-Channel MOSFET Transistor RD3S100CNFEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 190V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 182m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur
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