RD3S100CN Todos los transistores

 

RD3S100CN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RD3S100CN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 190 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.182 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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RD3S100CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1584K  rohm
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RD3S100CN

RD3S100CNDatasheetNch 190V 10A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS190VRDS(on)(Max.) 182mID 10APD85W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specif

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
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RD3S100CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3S100CNFEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 190V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 182m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

Otros transistores... RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN , RD3P100SN , RD3P130SP , RD3P175SN , RD3P200SN , RD3S075CN , MMD60R360PRH , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , FL6L52010L .

History: WPMD3002 | SFG10R08BF

 

 
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