Справочник MOSFET. RD3S100CN

 

RD3S100CN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RD3S100CN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 190 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.182 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RD3S100CN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3S100CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1584K  rohm
 rd3s100cn.pdf pdf_icon

RD3S100CN

RD3S100CNDatasheetNch 190V 10A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS190VRDS(on)(Max.) 182mID 10APD85W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specif

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3s100cn.pdf pdf_icon

RD3S100CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3S100CNFEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 190V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 182m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

Другие MOSFET... RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN , RD3P100SN , RD3P130SP , RD3P175SN , RD3P200SN , RD3S075CN , MMD60R360PRH , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , FL6L52010L .

History: 2SK1233 | MMP2301

 

 
Back to Top

 


 
.