RD3S100CN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RD3S100CN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 190 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.182 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для RD3S100CN
RD3S100CN Datasheet (PDF)
rd3s100cn.pdf

RD3S100CNDatasheetNch 190V 10A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS190VRDS(on)(Max.) 182mID 10APD85W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specif
rd3s100cn.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3S100CNFEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 190V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 182m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur
Другие MOSFET... RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN , RD3P100SN , RD3P130SP , RD3P175SN , RD3P200SN , RD3S075CN , MMD60R360PRH , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , FL6L52010L .
History: 2SK1233 | MMP2301



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383