RD3S100CN - описание и поиск аналогов

 

RD3S100CN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD3S100CN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 190 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.182 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RD3S100CN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3S100CN даташит

 ..1. Size:1584K  rohm
 rd3s100cn.pdf pdf_icon

RD3S100CN

RD3S100CN Datasheet Nch 190V 10A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 190V RDS(on)(Max.) 182m ID 10A PD 85W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specif

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3s100cn.pdf pdf_icon

RD3S100CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3S100CN FEATURES Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 190V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 182m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

Другие MOSFET... RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN , RD3P100SN , RD3P130SP , RD3P175SN , RD3P200SN , RD3S075CN , RU7088R , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , FL6L52010L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.