RD3T050CN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RD3T050CN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.25 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.76 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RD3T050CN

RD3T050CN Datasheet (PDF)

..1. Size:1474K rohm
rd3t050cn.pdf

RD3T050CNDatasheetNch 200V 5A Power MOSFETlOutlinelVDSS 200V DPAKRDS(on)(Max.) 760m TO-252ID 5APD 29W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed Packi

..2. Size:265K inchange semiconductor
rd3t050cn.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3T050CNFEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 760m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

9.1. Size:3540K rohm
rd3t075cn.pdf

RD3T075CNDatasheetNch 200V 7.5A Power MOSFETlOutlinelVDSS 200V DPAKRDS(on)(Max.) 325m TO-252ID 7.5APD 52WlInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size (mm) 330lApplication

9.2. Size:265K inchange semiconductor
rd3t075cn.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3T075CNFEATURESDrain Current I = 7.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 325m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: