Справочник MOSFET. RD3T050CN

 

RD3T050CN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RD3T050CN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.76 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для RD3T050CN

 

 

RD3T050CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1474K  rohm
 rd3t050cn.pdf

RD3T050CN RD3T050CN

RD3T050CNDatasheetNch 200V 5A Power MOSFETlOutlinelVDSS 200V DPAKRDS(on)(Max.) 760m TO-252ID 5APD 29W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed Packi

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3t050cn.pdf

RD3T050CN RD3T050CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3T050CNFEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 760m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 9.1. Size:3540K  rohm
 rd3t075cn.pdf

RD3T050CN RD3T050CN

RD3T075CNDatasheetNch 200V 7.5A Power MOSFETlOutlinelVDSS 200V DPAKRDS(on)(Max.) 325m TO-252ID 7.5APD 52WlInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size (mm) 330lApplication

 9.2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3t075cn.pdf

RD3T050CN RD3T050CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3T075CNFEATURESDrain Current I = 7.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 325m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top