RD3T100CN Todos los transistores

 

RD3T100CN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RD3T100CN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.182 Ohm

Encapsulados: TO-252

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RD3T100CN datasheet

 ..1. Size:1494K  rohm
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RD3T100CN

RD3T100CN Datasheet Nch 200V 10A Power MOSFET lOutline l VDSS 200V DPAK RDS(on)(Max.) 182m TO-252 ID 10A PD 85W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Pac

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
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RD3T100CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3T100CN FEATURES Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 182m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

Otros transistores... RD3P100SN , RD3P130SP , RD3P175SN , RD3P200SN , RD3S075CN , RD3S100CN , RD3T050CN , RD3T075CN , AO4407A , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , FL6L52010L , MDU2653 , NCE7580 , AP040N03G .

 

 

 

 

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