Справочник MOSFET. RD3T100CN

 

RD3T100CN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RD3T100CN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.25 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
   Время нарастания (tr): 35 ns
   Выходная емкость (Cd): 95 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.182 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для RD3T100CN

 

 

RD3T100CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1494K  rohm
 rd3t100cn.pdf

RD3T100CN RD3T100CN

RD3T100CNDatasheetNch 200V 10A Power MOSFETlOutlinelVDSS 200V DPAKRDS(on)(Max.) 182m TO-252ID 10APD 85W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed Pac

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3t100cn.pdf

RD3T100CN RD3T100CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3T100CNFEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 182m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top