AP040N03G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP040N03G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
Encapsulados: DFN5X6
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AP040N03G datasheet
ap0403gm.pdf
AP0403GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m D Fast Switching Characteristic ID 18.7A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP0403 series are from
ap0403gh.pdf
AP0403GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching Characteristic ID 75A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) ruggedized device desi
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