AP040N03G Todos los transistores

 

AP040N03G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP040N03G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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AP040N03G Datasheet (PDF)

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AP040N03G

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AP040N03G

AP0403GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5mD Fast Switching Characteristic ID 18.7AGS RoHS Compliant & Halogen-Free SSSO-8DescriptionDAP0403 series are from

 9.2. Size:143K  ape
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AP040N03G

AP0403GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching Characteristic ID 75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device desi

Otros transistores... RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , FL6L52010L , MDU2653 , NCE7580 , IRF840 , AP045N03M , AP050N03Q , AP0903Q , AP10N10K , AP120N03K , AP15N10 , AP15P03Q , AP2045K .

History: SI5853CDC | IRL3705ZSPBF | SSS4N60B | IRL1004SPBF | SIS612EDNT | SJMN099R65SW | SSP80R380S2

 

 
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