Справочник MOSFET. AP040N03G

 

AP040N03G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP040N03G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AP040N03G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP040N03G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1643K  1
ap040n03g.pdfpdf_icon

AP040N03G

 ..2. Size:1643K  allpower
ap040n03g.pdfpdf_icon

AP040N03G

 9.1. Size:167K  ape
ap0403gm.pdfpdf_icon

AP040N03G

AP0403GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5mD Fast Switching Characteristic ID 18.7AGS RoHS Compliant & Halogen-Free SSSO-8DescriptionDAP0403 series are from

 9.2. Size:143K  ape
ap0403gh.pdfpdf_icon

AP040N03G

AP0403GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching Characteristic ID 75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device desi

Другие MOSFET... RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , FL6L52010L , MDU2653 , NCE7580 , IRF840 , AP045N03M , AP050N03Q , AP0903Q , AP10N10K , AP120N03K , AP15N10 , AP15P03Q , AP2045K .

History: IRF621FI | STP310N10F7

 

 
Back to Top

 


 
.