AP040N03G - описание и поиск аналогов

 

AP040N03G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP040N03G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AP040N03G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP040N03G даташит

 ..1. Size:1643K  1
ap040n03g.pdfpdf_icon

AP040N03G

 ..2. Size:1643K  allpower
ap040n03g.pdfpdf_icon

AP040N03G

 9.1. Size:167K  ape
ap0403gm.pdfpdf_icon

AP040N03G

AP0403GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m D Fast Switching Characteristic ID 18.7A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP0403 series are from

 9.2. Size:143K  ape
ap0403gh.pdfpdf_icon

AP040N03G

AP0403GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching Characteristic ID 75A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) ruggedized device desi

Другие MOSFET... RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , FL6L52010L , MDU2653 , NCE7580 , IRF840 , AP045N03M , AP050N03Q , AP0903Q , AP10N10K , AP120N03K , AP15N10 , AP15P03Q , AP2045K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.