AP2N7002 Todos los transistores

 

AP2N7002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2N7002
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP2N7002 Datasheet (PDF)

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AP2N7002

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AP2N7002

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 0.2. Size:100K  ape
 ap2n7002ku.pdf pdf_icon

AP2N7002

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History: WM02N31M | FDN338 | IRLZ34NS | 2SK3107C | PNMTO600V4 | SSF3056C | S10H12S

 

 
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