Справочник MOSFET. AP2N7002

 

AP2N7002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2N7002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2N7002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N7002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1560K  allpower
 ap2n7002.pdf pdf_icon

AP2N7002

 0.1. Size:58K  ape
 ap2n7002k-hf.pdf pdf_icon

AP2N7002

AP2N7002K-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 450mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resist

 0.2. Size:100K  ape
 ap2n7002ku.pdf pdf_icon

AP2N7002

AP2N7002KUHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 270mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-323GDDescriptionAP2N7002 series are from Advanced Power innovated designGand silicon process technology to achieve th

Другие MOSFET... AP2080K , AP2300 , AP2301 , AP2302 , AP2302B , AP2305 , AP2310S , AP2312 , IRFB4110 , AP3010 , AP3020 , AP30H100KA , AP30H150KA , AP30P30Q , AP3400 , AP3400S , AP3401 .

History: FQAF16N25 | NCE65T680D | NCEA75H25 | CPC3720 | WMM08N80M3 | WMN14N65C4 | IRF6218S

 

 
Back to Top

 


 
.