AP30P30Q Todos los transistores

 

AP30P30Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP30P30Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de AP30P30Q MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP30P30Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1819K  1
 ap30p30q.pdf pdf_icon

AP30P30Q

 ..2. Size:1819K  allpower
 ap30p30q.pdf pdf_icon

AP30P30Q

 9.1. Size:93K  ape
 ap30p10gs.pdf pdf_icon

AP30P30Q

AP30P10GSRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance

 9.2. Size:94K  ape
 ap30p10gs-hf.pdf pdf_icon

AP30P30Q

AP30P10GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AP2305 , AP2310S , AP2312 , AP2N7002 , AP3010 , AP3020 , AP30H100KA , AP30H150KA , STP75NF75 , AP3400 , AP3400S , AP3401 , AP3407 , AP3407S , AP4435 , AP4438 , AP4606CS .

History: PSMN1R5-25MLH | MTN6515H8

 

 
Back to Top

 


 
.