AP30P30Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP30P30Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3
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AP30P30Q Datasheet (PDF)
ap30p10gs.pdf

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History: SGB100N025 | SSF6N70GM | NCEP10N12AK | BST100 | 2SK971 | WMO90R1K5S | IRC830PBF
History: SGB100N025 | SSF6N70GM | NCEP10N12AK | BST100 | 2SK971 | WMO90R1K5S | IRC830PBF



Liste
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