Справочник MOSFET. AP30P30Q

 

AP30P30Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP30P30Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для AP30P30Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30P30Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1819K  1
 ap30p30q.pdf pdf_icon

AP30P30Q

 ..2. Size:1819K  allpower
 ap30p30q.pdf pdf_icon

AP30P30Q

 9.1. Size:93K  ape
 ap30p10gs.pdf pdf_icon

AP30P30Q

AP30P10GSRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance

 9.2. Size:94K  ape
 ap30p10gs-hf.pdf pdf_icon

AP30P30Q

AP30P10GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2305 , AP2310S , AP2312 , AP2N7002 , AP3010 , AP3020 , AP30H100KA , AP30H150KA , STP75NF75 , AP3400 , AP3400S , AP3401 , AP3407 , AP3407S , AP4435 , AP4438 , AP4606CS .

History: WML53N65C4 | AM1340N | NCE1504R | AFC3346W

 

 
Back to Top

 


 
.