AP3407S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP3407S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SOT23
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AP3407S datasheet
ap3407ai.pdf
AP3407AI -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3407AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-4.2A DS D R
ap3407mi.pdf
AP3407MI -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3407MI uses advanced Trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-4.8A DS D R
Otros transistores... AP3020 , AP30H100KA , AP30H150KA , AP30P30Q , AP3400 , AP3400S , AP3401 , AP3407 , 2SK3878 , AP4435 , AP4438 , AP4606CS , AP4616 , AP4953 , AP55N03 , AP8205 , AP8205A .
History: AP83T03K | IRFU2307ZPBF | KF8N60F
History: AP83T03K | IRFU2307ZPBF | KF8N60F
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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