AP3407S - описание и поиск аналогов

 

AP3407S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP3407S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP3407S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3407S даташит

 ..1. Size:1473K  allpower
 ap3407s.pdf pdf_icon

AP3407S

 8.1. Size:2028K  allpower
 ap3407.pdf pdf_icon

AP3407S

 8.2. Size:1507K  cn apm
 ap3407ai.pdf pdf_icon

AP3407S

AP3407AI -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3407AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-4.2A DS D R

 8.3. Size:1316K  cn apm
 ap3407mi.pdf pdf_icon

AP3407S

AP3407MI -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3407MI uses advanced Trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-4.8A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3020 , AP30H100KA , AP30H150KA , AP30P30Q , AP3400 , AP3400S , AP3401 , AP3407 , 2SK3878 , AP4435 , AP4438 , AP4606CS , AP4616 , AP4953 , AP55N03 , AP8205 , AP8205A .

History: 2SK3205

 

 

 

 

↑ Back to Top
.