AP55N03 Todos los transistores

 

AP55N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP55N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de AP55N03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP55N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2411K  allpower
 ap55n03.pdf pdf_icon

AP55N03

 9.1. Size:1816K  cn apm
 ap55n10f.pdf pdf_icon

AP55N03

AP55N10F N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The AP55N10F uses advanced trench technology to provide excellent R ,device is suitable for use as a DS(ON)Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I = 55A DS DR

Otros transistores... AP3401 , AP3407 , AP3407S , AP4435 , AP4438 , AP4606CS , AP4616 , AP4953 , AO3401 , AP8205 , AP8205A , AP83T03K , AP8810 , AP9926 , BR4407 , ATM2301PSA , ATM2302BNSA .

History: FDV302P | AP4953 | AP8205A

 

 
Back to Top

 


 
.