AP55N03 Todos los transistores

 

AP55N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP55N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO252

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AP55N03 datasheet

 ..1. Size:2411K  allpower
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AP55N03

 9.1. Size:1816K  cn apm
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AP55N03

AP55N10F N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The AP55N10F uses advanced trench technology to provide excellent R ,device is suitable for use as a DS(ON) Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I = 55A DS D R

Otros transistores... AP3401 , AP3407 , AP3407S , AP4435 , AP4438 , AP4606CS , AP4616 , AP4953 , AO3401 , AP8205 , AP8205A , AP83T03K , AP8810 , AP9926 , BR4407 , ATM2301PSA , ATM2302BNSA .

 

 

 

 

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