AP55N03 - описание и поиск аналогов

 

AP55N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP55N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP55N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP55N03 даташит

 ..1. Size:2411K  allpower
 ap55n03.pdf pdf_icon

AP55N03

 9.1. Size:1816K  cn apm
 ap55n10f.pdf pdf_icon

AP55N03

AP55N10F N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The AP55N10F uses advanced trench technology to provide excellent R ,device is suitable for use as a DS(ON) Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I = 55A DS D R

Другие MOSFET... AP3401 , AP3407 , AP3407S , AP4435 , AP4438 , AP4606CS , AP4616 , AP4953 , AO3401 , AP8205 , AP8205A , AP83T03K , AP8810 , AP9926 , BR4407 , ATM2301PSA , ATM2302BNSA .

History: IRFU2307ZPBF | SI2342DS | SVS20N60SD2TR | ASDM3050 | KF8N60F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.