AP8810 Todos los transistores

 

AP8810 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP8810

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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AP8810 datasheet

 ..1. Size:1677K  allpower
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AP8810

 9.1. Size:1197K  cn apm
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AP8810

AP8814A 20V N+N hannel Enhancement Mode MOSFET Description D1 D2 The AP8814A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) G1 G2 operation with gate voltages as low as 2.5V. This S1 S2 device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I = 8A DS D R

Otros transistores... AP4438 , AP4606CS , AP4616 , AP4953 , AP55N03 , AP8205 , AP8205A , AP83T03K , SPP20N60C3 , AP9926 , BR4407 , ATM2301PSA , ATM2302BNSA , ATM2306NSA , ATM2312NSA , ATM2601PSG , ATM2N65TE .

History: FQD2N80 | MEM564C

 

 

 

 

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