AP8810 Todos los transistores

 

AP8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP8810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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AP8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1677K  allpower
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AP8810

 9.1. Size:1197K  cn apm
 ap8814a.pdf pdf_icon

AP8810

AP8814A 20V N+N hannel Enhancement Mode MOSFET Description D1D2The AP8814A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)G1 G2operation with gate voltages as low as 2.5V. This S1 S2device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I = 8A DS DR

Otros transistores... AP4438 , AP4606CS , AP4616 , AP4953 , AP55N03 , AP8205 , AP8205A , AP83T03K , SPP20N60C3 , AP9926 , BR4407 , ATM2301PSA , ATM2302BNSA , ATM2306NSA , ATM2312NSA , ATM2601PSG , ATM2N65TE .

History: P0550BD | HM50N03I | BRCS150N10SZC | BRCS150N10SDP | NTD3817N-1G | BRCS150N12SZC | BRCS140P03YB

 

 
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