AP8810 - аналоги и даташиты транзистора

 

AP8810 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP8810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для AP8810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1677K  allpower
 ap8810.pdf pdf_icon

AP8810

 9.1. Size:1197K  cn apm
 ap8814a.pdf pdf_icon

AP8810

AP8814A 20V N+N hannel Enhancement Mode MOSFET Description D1D2The AP8814A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)G1 G2operation with gate voltages as low as 2.5V. This S1 S2device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I = 8A DS DR

Другие MOSFET... AP4438 , AP4606CS , AP4616 , AP4953 , AP55N03 , AP8205 , AP8205A , AP83T03K , SPP20N60C3 , AP9926 , BR4407 , ATM2301PSA , ATM2302BNSA , ATM2306NSA , ATM2312NSA , ATM2601PSG , ATM2N65TE .

History: BRCS150N10SRA | HM50N03I | P0550BD | NTD3817N-1G | BRCS150N12SZC | BRCS150N10SZC | BRCS150N10SDP

 

 
Back to Top

 


 
.