AP8810 - описание и поиск аналогов

 

AP8810. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP8810

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для AP8810

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8810 даташит

 ..1. Size:1677K  allpower
 ap8810.pdf pdf_icon

AP8810

 9.1. Size:1197K  cn apm
 ap8814a.pdf pdf_icon

AP8810

AP8814A 20V N+N hannel Enhancement Mode MOSFET Description D1 D2 The AP8814A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) G1 G2 operation with gate voltages as low as 2.5V. This S1 S2 device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I = 8A DS D R

Другие MOSFET... AP4438 , AP4606CS , AP4616 , AP4953 , AP55N03 , AP8205 , AP8205A , AP83T03K , SPP20N60C3 , AP9926 , BR4407 , ATM2301PSA , ATM2302BNSA , ATM2306NSA , ATM2312NSA , ATM2601PSG , ATM2N65TE .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.