ATM2601PSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATM2601PSG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.86 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ATM2601PSG
ATM2601PSG Datasheet (PDF)
atm2601psg.pdf
ATM2601PSG P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage -20V Continuous Drain Current -2.8A FEATURES SOT23-6 VDS = -20V,ID = -2.8A R
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History: IPD70N12S3L-12
History: IPD70N12S3L-12
Liste
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