ATM2601PSG Todos los transistores

 

ATM2601PSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATM2601PSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.86 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
 

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ATM2601PSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  agertech
 atm2601psg.pdf pdf_icon

ATM2601PSG

ATM2601PSG P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage -20V Continuous Drain Current -2.8A FEATURES SOT23-6 VDS = -20V,ID = -2.8A R

 8.1. Size:1378K  agertech
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ATM2601PSG

ATM2602NSG Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage: 20V Continuous Drain Current: 3A Features SOT-23-6L Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R 65m ( V =4.5V) DS(ON) GS R 85m ( V =2.5V) DS(ON) GSApplication Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc. Power supply converters circuit

 8.2. Size:822K  agertech
 atm2604knsg.pdf pdf_icon

ATM2601PSG

ATM2604KNSG20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDescriptionsThe ATM2604KNSG uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) , low gate charge and operationwith gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable forSchematic diagramuse as a load switch or in PWM applications .Features R

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History: SSF65R140SFD | NTD40N03R-1G | AP9926 | SSF65R130S2 | IRL621

 

 
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