ATM2601PSG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATM2601PSG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.86 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Encapsulados: SOT23-6
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ATM2601PSG datasheet
atm2601psg.pdf
ATM2601PSG P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage -20V Continuous Drain Current -2.8A FEATURES SOT23-6 VDS = -20V,ID = -2.8A R
atm2602nsg.pdf
ATM2602NSG Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 20V Continuous Drain Current 3A Features SOT-23-6L Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R 65m ( V =4.5V) DS(ON) GS R 85m ( V =2.5V) DS(ON) GS Application Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc. Power supply converters circuit
atm2604knsg.pdf
ATM2604KNSG 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Descriptions The ATM2604KNSG uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for Schematic diagram use as a load switch or in PWM applications . Features R
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