ATM2601PSG - описание и поиск аналогов

 

ATM2601PSG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ATM2601PSG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для ATM2601PSG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM2601PSG даташит

 ..1. Size:795K  agertech
 atm2601psg.pdf pdf_icon

ATM2601PSG

ATM2601PSG P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage -20V Continuous Drain Current -2.8A FEATURES SOT23-6 VDS = -20V,ID = -2.8A R

 8.1. Size:1378K  agertech
 atm2602nsg.pdf pdf_icon

ATM2601PSG

ATM2602NSG Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 20V Continuous Drain Current 3A Features SOT-23-6L Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R 65m ( V =4.5V) DS(ON) GS R 85m ( V =2.5V) DS(ON) GS Application Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc. Power supply converters circuit

 8.2. Size:822K  agertech
 atm2604knsg.pdf pdf_icon

ATM2601PSG

ATM2604KNSG 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Descriptions The ATM2604KNSG uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for Schematic diagram use as a load switch or in PWM applications . Features R

Другие MOSFET... AP83T03K , AP8810 , AP9926 , BR4407 , ATM2301PSA , ATM2302BNSA , ATM2306NSA , ATM2312NSA , IRF1010E , ATM2N65TE , ATM2N65TF , ATM3400ANSA , ATM3404NSA , ATM4N65TE , ATM7002KNSA , ATM7002NSA , ATM7430NDH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.